DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG3407SSN-7

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 1.1W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMG3407SSN-7
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30V
Drain current	-3.6A
Pulsed drain current	-30A
Power dissipation	1.1W
Корпус	SC59
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	72mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	16nC
Kind of package	7 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59

Документация

Документы пока не предоставлены.