Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG3401LSN-7

Фото уточняется
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-2.9 A
Pulsed drain current
-30 A
Power dissipation
1.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMG3401LSN-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-2.9 A
Pulsed drain current-30 A
Power dissipation1.2 W
КорпусSC59
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance85 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25.1nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59

Документация

Документы пока не предоставлены.