Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG10N60SCT

DMG10N60SCT
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
7.9 A
Pulsed drain current
15 A
Power dissipation
71 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMG10N60SCT
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current7.9 A
Pulsed drain current15 A
Power dissipation71 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge35nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.