DIODES INCORPORATED
Транзистор DMG1023UV-7
- Type of transistor
- P-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -20 V
- Drain current
- -680 mA
- Power dissipation
- 0.53 W
- Корпус
- SOT563
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 155 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%125,23 ₽
Сумма · с НДС 22%125,23 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 125,23 ₽ | |
| от 10 | 80,92 ₽ | |
| от 25 | 68,78 ₽ | |
| от 50 | 60,30 ₽ | |
| от 100 | 52,40 ₽ | |
| от 500 | 36,60 ₽ | |
| от 3000 | 27,74 ₽ | |
| от 6000 | 25,24 ₽ | |
| от 9000 | 23,70 ₽ | |
| от 15000 | 22,16 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DMG1023UV-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | P-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20 V |
| Drain current | -680 mA |
| Power dissipation | 0.53 W |
| Корпус | SOT563 |
| Gate-source voltage | ±6 V |
| On-state resistance | 25 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.