DIODES INCORPORATED
Транзистор DMG1016VQ-7
- Type of transistor
- N/P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Kind of transistor
- complementary pair
- Drain-source voltage
- 20/-20 V
- Drain current
- 0.087/-0.064 A
- Power dissipation
- 0.53 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | DMG1016VQ-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Kind of transistor | complementary pair |
| Drain-source voltage | 20/-20 V |
| Drain current | 0.087/-0.064 A |
| Power dissipation | 0.53 W |
| Корпус | SOT563 |
| Gate-source voltage | ±6 V |
| On-state resistance | 0.4/0.7 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Application | automotive industry |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.