Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG1016V-7

DMG1016V-7
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20/-20 V
Drain current
0.63/-0.46 A
Рассеиваемая мощность
0.53 W
Корпус
SOT563
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 92 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%98,43 ₽

Сумма · с НДС 22%98,43 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 198,43 ₽
от 1050,31 ₽
от 2545,75 ₽
от 5042,11 ₽
от 10038,82 ₽
от 50030,80 ₽
от 100027,52 ₽
от 300022,24 ₽
от 600018,96 ₽
от 900016,95 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMG1016V-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20/-20 V
Drain current0.63/-0.46 A
Рассеиваемая мощность0.53 W
КорпусSOT563
Gate-source voltage±6 V
On-state resistance0.4/0.7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W

Документация

Документы пока не предоставлены.