Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG1016UDWQ-7

DMG1016UDWQ-7
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20/-20 V
Drain current
0.69/-0.548 A
Pulsed drain current
3.2 A
Power dissipation
0.33 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMG1016UDWQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20/-20 V
Drain current0.69/-0.548 A
Pulsed drain current3.2 A
Power dissipation0.33 W
КорпусSOT363
Gate-source voltage±6 V
On-state resistance0.45 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.69/-0.548A; Idm: 3.2A

Документация

Документы пока не предоставлены.