Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG1013UWQ-7

DMG1013UWQ-7
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-540 mA
Рассеиваемая мощность
0.31 W
Корпус
SOT323
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMG1013UWQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-540 mA
Рассеиваемая мощность0.31 W
КорпусSOT323
Gate-source voltage±6 V
On-state resistance1.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD

Документация

Документ производителя