Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG1013TQ-7

DMG1013TQ-7
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-330 mA
Pulsed drain current
-6 A
Power dissipation
0.27 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMG1013TQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-330 mA
Pulsed drain current-6 A
Power dissipation0.27 W
КорпусSOT523
Gate-source voltage±6 V
On-state resistance1.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge580pC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW

Документация

Документы пока не предоставлены.