Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG1013T-7

DMG1013T-7
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-0.33A
Pulsed drain current
-6A
Power dissipation
0.27W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMG1013T-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-0.33A
Pulsed drain current-6A
Power dissipation0.27W
КорпусSOT523
Gate-source voltage±6V
On-state resistance0.7Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.