Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG1012UWQ-7

DMG1012UWQ-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.75 A
Pulsed drain current
6 A
Рассеиваемая мощность
0.61 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 342 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%71,23 ₽

Сумма · с НДС 22%71,23 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 171,23 ₽
от 1036,74 ₽
от 2532,76 ₽
от 5029,88 ₽
от 10027,12 ₽
от 25023,43 ₽
от 50020,64 ₽
от 100017,90 ₽
от 300013,61 ₽
от 900011,62 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMG1012UWQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.75 A
Pulsed drain current6 A
Рассеиваемая мощность0.61 W
КорпусSOT323
Gate-source voltage±6 V
On-state resistance0.75 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323

Документация

Документы пока не предоставлены.