DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG1012UW-7

DMG1012UW-7

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20 V
Drain current: 1 A
Power dissipation: 0.29 W
Корпус: SOT323

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMG1012UW-7
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20 V
Drain current	1 A
Power dissipation	0.29 W
Корпус	SOT323
Gate-source voltage	±6 V
On-state resistance	0.3 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	7 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD

Документация

Документ производителя