Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG1012T-7

DMG1012T-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.45 A
Рассеиваемая мощность
0.28 W
Корпус
SOT523
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 7 441 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%73,10 ₽

Сумма · с НДС 22%73,10 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 173,10 ₽
от 1043,49 ₽
от 2536,44 ₽
от 5031,83 ₽
от 10027,67 ₽
от 50019,62 ₽
от 100016,74 ₽
от 150015,16 ₽
от 300012,75 ₽
от 90009,39 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMG1012T-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.45 A
Рассеиваемая мощность0.28 W
КорпусSOT523
Gate-source voltage±6 V
On-state resistance0.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD

Документация

Документ производителя