Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMG1012T-13

DMG1012T-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.45 A
Pulsed drain current
3 A
Power dissipation
0.28 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMG1012T-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.45 A
Pulsed drain current3 A
Power dissipation0.28 W
КорпусSOT523
Gate-source voltage±6 V
On-state resistance0.7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge736.6pC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 450mA; Idm: 3A; 280mW; SOT523

Документация

Документы пока не предоставлены.