Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMC3016LDV-13

Фото уточняется
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.9 W
Корпус
8-PowerVDFN
Монтаж
SMD — поверхностный
Gate charge
9.5nC
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMC3016LDV-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Power dissipation0.9 W
Корпус8-PowerVDFN
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.5nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 900mW; 8-PowerVDFN

Документация

Документы пока не предоставлены.