Антава

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DIW300N10

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
300 A
Pulsed drain current
1.2kA
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDIW300N10
ПроизводительDIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current300 A
Pulsed drain current1.2kA
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусTO247-3
On-state resistance1.6 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 100V; 300A; Idm: 1200A; 250W

Документация

Документы пока не предоставлены.