Антава

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DIW170SIC750

DIW170SIC750
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.7 kV
Drain current
3.5 A
Pulsed drain current
6 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%786,39 ₽

Сумма · с НДС 22%786,39 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1786,39 ₽
от 10708,51 ₽
от 30655,32 ₽
от 120624,93 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDIW170SIC750
ПроизводительDIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7 kV
Drain current3.5 A
Pulsed drain current6 A
Power dissipation62 W
КорпусTO247-3
On-state resistance0.75 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.5A; Idm: 6A; 62W

Документация

Документы пока не предоставлены.