DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DIW170SIC049

DIW170SIC049

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7 kV
Drain current: 47 A
Pulsed drain current: 150 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DIW170SIC049
Производитель	DIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	1.7 kV
Drain current	47 A
Pulsed drain current	150 A
Рассеиваемая мощность	357 W
Корпус	TO247-3
Gate-source voltage	-4...18 V
On-state resistance	81 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	179nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W

Документация

Документ производителя