Антава

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DIW120SIC028

DIW120SIC028
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
84A
Pulsed drain current
295A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDIW120SIC028
ПроизводительDIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current84A
Pulsed drain current295A
Power dissipation715W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-5...20V
On-state resistance26mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge373nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W

Документация

Документ производителя