Антава

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DIW120SIC022-AQ

DIW120SIC022-AQ
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
85 A
Pulsed drain current
250 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%12 297,77 ₽

Сумма · с НДС 22%12 297,77 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 112 297,77 ₽
от 510 920,10 ₽
от 1010 284,69 ₽
от 309 544,31 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDIW120SIC022-AQ
ПроизводительDIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current85 A
Pulsed drain current250 A
Рассеиваемая мощность340 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-4...18 V
On-state resistance28 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge269nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W

Документация

Документ производителя