Антава

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DIW120SIC022

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
120 A
Pulsed drain current
250 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDIW120SIC022
ПроизводительDIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current120 A
Pulsed drain current250 A
Рассеиваемая мощность340 W
КорпусTO247-3
On-state resistance22.3 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 120A; Idm: 250A; 340W

Документация

Документы пока не предоставлены.