DIOTEC SEMICONDUCTOR
Транзистор DIW065SIC015
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SiC
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 650 V
- Drain current
- 100 A
- Pulsed drain current
- 300 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%6 519,05 ₽
Сумма · с НДС 22%6 519,05 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 6 519,05 ₽ | |
| от 5 | 5 425,67 ₽ | |
| от 10 | 4 939,92 ₽ | |
| от 30 | 4 300,40 ₽ | |
| от 60 | 4 118,48 ₽ | |
| от 120 | 4 009,70 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DIW065SIC015 |
|---|---|
| Производитель | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 650 V |
| Drain current | 100 A |
| Pulsed drain current | 300 A |
| Power dissipation | 550 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-source voltage | -4...15 V |
| On-state resistance | 16 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 236nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.