DIOTEC SEMICONDUCTOR
Транзистор DIW050F065
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 650 V
- Collector current
- 50 A
- Рассеиваемая мощность
- 350 W
- Корпус
- TO247-3
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 343 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%721,33 ₽
Сумма · с НДС 22%721,33 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 721,33 ₽ | |
| от 10 | 445,19 ₽ | |
| от 30 | 400,11 ₽ | |
| от 120 | 353,15 ₽ | |
| от 150 | 345,64 ₽ | |
| от 510 | 309,95 ₽ | |
| от 750 | 302,43 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DIW050F065 |
|---|---|
| Производитель | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 650 V |
| Collector current | 50 A |
| Рассеиваемая мощность | 350 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 300 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 78nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 168ns |
| Turn-off time | 245ns |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.