DIOTEC SEMICONDUCTOR
Транзистор DIW040M120
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 40 A
- Power dissipation
- 330 W
- Корпус
- TO247-3
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 426 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 232,77 ₽
Сумма · с НДС 22%1 232,77 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 232,77 ₽ | |
| от 3 | 1 116,90 ₽ | |
| от 10 | 915,55 ₽ | |
| от 30 | 725,61 ₽ | |
| от 60 | 700,91 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DIW040M120 |
|---|---|
| Производитель | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 40 A |
| Power dissipation | 330 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 160 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 330nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 69ns |
| Turn-off time | 337ns |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.