DIOTEC SEMICONDUCTOR
Транзистор DIT090N06
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 65 V
- Drain current
- 62 A
- Pulsed drain current
- 310 A
- Рассеиваемая мощность
- 160 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 67 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%298,59 ₽
Сумма · с НДС 22%298,59 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 298,59 ₽ | |
| от 10 | 232,98 ₽ | |
| от 50 | 157,59 ₽ | |
| от 100 | 134,74 ₽ | |
| от 250 | 115,38 ₽ | |
| от 500 | 107,09 ₽ | |
| от 750 | 103,77 ₽ | |
| от 2500 | 98,42 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DIT090N06 |
|---|---|
| Производитель | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 65 V |
| Drain current | 62 A |
| Pulsed drain current | 310 A |
| Рассеиваемая мощность | 160 W |
| Корпус | TO220AB |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 5.7 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 94nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Heatsink thickness | макс. 1.2mm |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.