DIOTEC SEMICONDUCTOR
Транзистор DIF120SIC053-AQ
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SiC
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 1.2 kV
- Drain current
- 46 A
- Pulsed drain current
- 100 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 12 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%4 488,33 ₽
Сумма · с НДС 22%4 488,33 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 4 488,33 ₽ | |
| от 5 | 4 038,01 ₽ | |
| от 10 | 3 809,13 ₽ | |
| от 30 | 3 563,50 ₽ | |
| от 60 | 3 470,46 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DIF120SIC053-AQ |
|---|---|
| Производитель | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2 kV |
| Drain current | 46 A |
| Pulsed drain current | 100 A |
| Рассеиваемая мощность | 278 W |
| Корпус | TO247-4 |
| Gate-source voltage | -4...18 V |
| On-state resistance | 65 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 121nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.