Антава

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DIF120SIC028

DIF120SIC028
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
84 A
Pulsed drain current
295 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%6 631,12 ₽

Сумма · с НДС 22%6 631,12 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 16 631,12 ₽
от 55 519,92 ₽
от 105 033,65 ₽
от 304 378,32 ₽
от 604 123,79 ₽
от 1203 979,43 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDIF120SIC028
ПроизводительDIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current84 A
Pulsed drain current295 A
Power dissipation715 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance26 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge373nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W

Документация

Документ производителя