Антава

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DIF120SIC022

DIF120SIC022
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
85 A
Pulsed drain current
250 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%5 837,13 ₽

Сумма · с НДС 22%5 837,13 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 15 837,13 ₽
от 55 121,03 ₽
от 104 750,62 ₽
от 304 530,28 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDIF120SIC022
ПроизводительDIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current85 A
Pulsed drain current250 A
Power dissipation340 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-4...18 V
On-state resistance28 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge269nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W

Документация

Документ производителя