Антава

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DI8A6C03SQ

DI8A6C03SQ
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
8.6/-7.3 A
Pulsed drain current
20...-20 A
Power dissipation
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDI8A6C03SQ
ПроизводительDIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current8.6/-7.3 A
Pulsed drain current20...-20 A
Power dissipation1.6 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance20 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 8.6/-7.3A; Idm: 20÷-20A

Документация

Документы пока не предоставлены.