Антава

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DI7A6N10SQ

DI7A6N10SQ
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
7.6 A
Pulsed drain current
200 A
Power dissipation
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDI7A6N10SQ
ПроизводительDIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current7.6 A
Pulsed drain current200 A
Power dissipation2.5 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance28 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.6A; Idm: 200A; 2.5W; SO8

Документация

Документ производителя