Антава

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DI7A6N04SQ2

DI7A6N04SQ2
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
7.6 A
Pulsed drain current
50 A
Рассеиваемая мощность
3.1 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяDI7A6N04SQ2
ПроизводительDIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current7.6 A
Pulsed drain current50 A
Рассеиваемая мощность3.1 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance32 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.6A; Idm: 50A; 3.1W; SO8

Документация

Документ производителя