Антава

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DI5A6C04SQ

DI5A6C04SQ
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
5.6/-4.7 A
Pulsed drain current
20...-20 A
Power dissipation
1.95 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDI5A6C04SQ
ПроизводительDIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current5.6/-4.7 A
Pulsed drain current20...-20 A
Power dissipation1.95 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance43 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40V; 5.6/-4.7A; Idm: 20÷-20A

Документация

Документы пока не предоставлены.