Антава

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DI4A7P06SQ2

DI4A7P06SQ2
Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-4.7 A
Pulsed drain current
-30 A
Power dissipation
3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDI4A7P06SQ2
ПроизводительDIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-4.7 A
Pulsed drain current-30 A
Power dissipation3 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -30A; 3W; SO8

Документация

Документ производителя