Антава

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DI4A5C06SQ

DI4A5C06SQ
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60/-60V
Drain current
4.5/-3.5A
Pulsed drain current
20...-20A
Power dissipation
1.6W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDI4A5C06SQ
ПроизводительDIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60/-60V
Drain current4.5/-3.5A
Pulsed drain current20...-20A
Power dissipation1.6W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance55/75mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 4.5/-3.5A; Idm: 20÷-20A

Документация

Документы пока не предоставлены.