Антава

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DI200N10D2

DI200N10D2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
185 A
Pulsed drain current
950 A
Power dissipation
340 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 773 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%699,01 ₽

Сумма · с НДС 22%699,01 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1699,01 ₽
от 10417,89 ₽
от 50349,51 ₽
от 100319,11 ₽
от 200292,52 ₽
от 250283,02 ₽
от 500252,63 ₽
от 800233,64 ₽
от 1600226,04 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDI200N10D2
ПроизводительDIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current185 A
Pulsed drain current950 A
Power dissipation340 W
КорпусD2PAK, TO263AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge262nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 185A; Idm: 950A; 340W

Документация

Документ производителя