DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DI170SIC850D7

TO263-7Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7 kV
Drain current: 7 A
Pulsed drain current: 9 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DI170SIC850D7
Производитель	DIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	1.7 kV
Drain current	7 A
Pulsed drain current	9 A
Рассеиваемая мощность	62 W
Корпус	TO263-7
On-state resistance	0.85 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	23nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 9A; 62W; TO263-7

Документация

Документы пока не предоставлены.