Антава

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DI120SIC026D7

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
117 A
Pulsed drain current
297 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDI120SIC026D7
ПроизводительDIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current117 A
Pulsed drain current297 A
Рассеиваемая мощность535 W
КорпусTO263-7
On-state resistance26 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge64nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 117A; Idm: 297A; 535W

Документация

Документы пока не предоставлены.