DIOTEC SEMICONDUCTOR

Транзистор DI120N10PQ

QFN5x6Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 120 A
Pulsed drain current: 480 A
Рассеиваемая мощность: 131.6 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DI120N10PQ
Производитель	DIOTEC SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	120 A
Pulsed drain current	480 A
Рассеиваемая мощность	131.6 W
Корпус	QFN5x6
On-state resistance	4.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.