DIOTEC SEMICONDUCTOR
Транзистор DI0A35N06PGK-AQ
DFN1006-3Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 0.35 A
- Pulsed drain current
- 1.2 A
- Power dissipation
- 223 mW
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | DI0A35N06PGK-AQ |
|---|---|
| Производитель | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 0.35 A |
| Pulsed drain current | 1.2 A |
| Power dissipation | 223 mW |
| Корпус | DFN1006-3 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 4 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 1.9nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.35A; Idm: 1.2A; 223mW
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.