DIOTEC SEMICONDUCTOR
Транзистор DI028N10PQ2
QFN5x6Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 18 A
- Pulsed drain current
- 130 A
- Power dissipation
- 32.7 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | DI028N10PQ2 |
|---|---|
| Производитель | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 18 A |
| Pulsed drain current | 130 A |
| Power dissipation | 32.7 W |
| Корпус | QFN5x6 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 21 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 22nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 18A; Idm: 130A; 32.7W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.