DIOTEC SEMICONDUCTOR
Транзистор DI006N06PW
QFN2X2Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 65 V
- Drain current
- 6 A
- Pulsed drain current
- 80 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.67 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | DI006N06PW |
|---|---|
| Производитель | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 65 V |
| Drain current | 6 A |
| Pulsed drain current | 80 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.67 W |
| Корпус | QFN2X2 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 30 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 10nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 6A; Idm: 80A; 1.67W; QFN2X2
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.