Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DGTD65T15H2TF

DGTD65T15H2TF
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
15 A
Рассеиваемая мощность
24 W
Корпус
ITO220AB
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 474 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%486,67 ₽

Сумма · с НДС 22%486,67 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1486,67 ₽
от 10303,94 ₽
от 25261,05 ₽
от 100210,70 ₽
от 250184,60 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDGTD65T15H2TF
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current15 A
Рассеиваемая мощность24 W
КорпусITO220AB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current60 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge61nC
Kind of packagetube
Turn-on time46ns
Turn-off time280ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 15A; 24W; ITO220AB

Документация

Документ производителя