Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DGTD120T25S1PT

DGTD120T25S1PT
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
25 A
Рассеиваемая мощность
174 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDGTD120T25S1PT
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current25 A
Рассеиваемая мощность174 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current100 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge204nC
Kind of packagetube
Turn-on time110ns
Turn-off time367ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 174W; TO247-3

Документация

Документ производителя