Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DGD1503S8-13

DGD1503S8-13
Тип микросхемы
driver
Topology
IGBT half-bridge, MOSFET half-bridge
Назначение
gate driver, high-side
Корпус
SO8
Выходной ток
-600...290mA
Number of channels
1
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDGD1503S8-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Тип микросхемыdriver
TopologyIGBT half-bridge, MOSFET half-bridge
Назначениеgate driver, high-side
КорпусSO8
Выходной ток-600...290mA
Number of channels1
МонтажSMD — поверхностный
Рабочая температура-40...125°C
Impulse rise time170ns
Pulse fall time90ns
Kind of packagereel, tape
Напряжение питания10...20V
Исходное описание поставщика

IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -600÷290mA

Документация

Документы пока не предоставлены.