Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор DG50Q12T2

DG50Q12T2
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
50 A
Рассеиваемая мощность
672 W
Корпус
TO247PLUS
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 25 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 839,71 ₽

Сумма · с НДС 22%1 839,71 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 839,71 ₽
от 51 657,72 ₽
от 251 463,12 ₽
от 1001 315,37 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDG50Q12T2
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current50 A
Рассеиваемая мощность672 W
КорпусTO247PLUS
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current150 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.37µC
Kind of packagetube
Turn-on time172ns
Turn-off time338ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS

Документация

Документ производителя