Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор DG30X07T2

DG30X07T2
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
30 A
Рассеиваемая мощность
208 W
Корпус
TO247
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 76 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%537,39 ₽

Сумма · с НДС 22%537,39 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1537,39 ₽
от 3481,49 ₽
от 10425,58 ₽
от 30384,11 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDG30X07T2
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current30 A
Рассеиваемая мощность208 W
КорпусTO247
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current90 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.22µC
Kind of packagetube
Turn-on time0.1µs
Turn-off time306ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247

Документация

Документ производителя