Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор DG25X12T2

DG25X12T2
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
25 A
Рассеиваемая мощность
348 W
Корпус
TO247
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 19 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%816,25 ₽

Сумма · с НДС 22%816,25 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1816,25 ₽
от 3733,36 ₽
от 10646,87 ₽
от 30582,00 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDG25X12T2
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current25 A
Рассеиваемая мощность348 W
КорпусTO247
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current75 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.19µC
Kind of packagetube
Turn-on time36ns
Turn-off time362ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247

Документация

Документ производителя