Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор DG20X06T1

DG20X06T1
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600V
Collector current
29A
Power dissipation
313W
Корпус
TO220
Gate-emitter voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDG20X06T1
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600V
Collector current29A
Power dissipation313W
КорпусTO220
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current60A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.14µC
Kind of packagetube
Turn-on time26ns
Turn-off time200ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220

Документация

Документ производителя