Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор DG120X07T2

DG120X07T2
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
120 A
Power dissipation
893 W
Корпус
TO247PLUS
Gate-emitter voltage
±20 V

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 21 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 573,81 ₽

Сумма · с НДС 22%2 573,81 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 573,81 ₽
от 32 321,18 ₽
от 102 041,95 ₽
от 301 834,91 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDG120X07T2
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current120 A
Power dissipation893 W
КорпусTO247PLUS
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current360 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.86µC
Kind of packagetube
Turn-on time282ns
Turn-off time334ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS

Документация

Документ производителя