Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор DG10X12T2

DG10X12T2
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
10 A
Power dissipation
96 W
Корпус
TO247
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 29 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%509,09 ₽

Сумма · с НДС 22%509,09 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1509,09 ₽
от 3457,61 ₽
от 10404,22 ₽
от 30364,18 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDG10X12T2
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current10 A
Power dissipation96 W
КорпусTO247
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current30 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge80nC
Kind of packagetube
Turn-on time37ns
Turn-off time493ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247

Документация

Документ производителя